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場發射環境掃描電子顯微鏡 檢測服務中心面向集成電路、電子元器件、半導體、PCBA、LED、汽車電子、新材料等,為客戶提供包括無損分析、失效分析、物理性能測試、微納分析、可靠性與壽命評估、工藝制程等在內的技術解決方案。


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型號:Quanta 400 FEG

廠家:美國FEI

主要用途1.可在高真空、低真空(130Pa)、環境真空(4000Pa)下觀察導電和不導電樣品,對材料的表面和橫截面的微觀形貌、成分進行分析,廣泛應用于金屬材料、高分子材料、半導體材料、納米材料等領域;
2.配備的Apollo40 SDD能譜無需液氮制冷,可進行快速的點、線、面分布分析,獲得能譜的mapping圖譜;
3.其樣品室直徑達284 mm,對于直徑達四英寸硅片可以直接進行測試,無需對樣品進行分割處理;
4.附件MonoCL3+陰極熒光譜儀不僅可以測量材料微區在電子束激發下的發光光譜,而且可以進行成像 顯示,從而可以對樣品的禁帶寬度、雜質缺陷等進行表征,獲取更為豐富的信息;
5.可以測量材料的電子束感生電流(EBIC),從而獲得材料內部結構缺陷等信息,與陰極熒光測量互為補充。
主要配置1. MonoCL3+陰極熒光譜儀,波長范圍160-930nm2.電子束感生電流(EBIC)
3.STEM探測器4.Apollo 40 SDD能譜儀
5.液氮冷臺,溫度范圍為-185℃- +200℃6.液氦冷臺,溫度范圍為6K-300K
性能指標1.肖特基場發射電子槍2.加速電壓:200V-30 kV
3.放大倍數:12-2,000,0004.分辨率
高真空- 0.8nm at 30kV (STEM)- 1.2nm at 30kV (SE)
- 2.5nm at 30kV (BSE)- 3.0nm at 1kV (SE)
低真空- 1.5nm at 30kV (SE)- 2.5nm at 30kV (BSE)
- 3.0nm at 3kV (SE)
環境真空- 1.5nm at 30kV (SE)
樣品室284mm,5軸馬達臺
EDS分辨率優于136 eV,可分析包括B5以上的所有元素

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